Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13NM60N, 600В, 6,93А, D2PAK (набор 20 шт.)
2 470 ₴
- В наличии
- Код: TM078661
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13NM60N, 600В, 6,93А, D2PAK (набор 20 шт.)В наличии
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET STB13NM60N от STMicroelectronics в корпусе D2PAK. Компоненты имеют напряжение сток-исток 600 В и ток стока 6,93 А.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащенного типа
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 6,93 А
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: MDmesh™
- Количество в наборе: 20 шт.
Технические характеристики
Транзисторы имеют канал обогащенного типа и выдерживают напряжение между выводами стока и истока до 600 В. Максимальный ток стока составляет 6,93 А, а рассеиваемая мощность — 90 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,36 Ом.
Монтаж и технология MDmesh™
Компоненты изготовлены по технологии MDmesh™ и предназначены для поверхностного монтажа (SMD). Корпус D2PAK.
Комплектация и параметры затвора
В упаковке поставляется 20 транзисторов STB13NM60N. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.93 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | MDmesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 470 ₴