Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4, 100 В, 77 А, D2PAK (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4 — это униполярный компонент с технологией SuperMesh™, предназначенный для эффективной коммутации в силовых электронных схемах. Комплект состоит из 10 шт., что обеспечивает запас для серийного производства или ремонта оборудования.

• Ток стока 77 А и напряжение 100 В для мощных схем
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 10,5 мОм
• Рассеиваемая мощность до 312 Вт
• Корпус D2PAK для SMD монтажа
• Встроенная защита ESD
• Комплект из 10 шт.

Высокая мощность и ток

Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 77 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 312 Вт, что позволяет использовать транзистор в мощных инверторах и источниках питания без риска перегрева при условии надлежащего охлаждения.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 10,5 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства и позволяет уменьшить размеры радиаторов.

Защита от статического электричества

Версия ESD обеспечивает встроенную защиту от электростатического разряда. Это упрощает процесс монтажа и эксплуатации, снижая вероятность повреждения чувствительного входа затвора при обслуживании платы.

Удобный монтаж и корпус

Транзистор выполнен в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Этот формат популярен в промышленной электронике благодаря сочетанию компактности и возможности отвода тепла через корпус на печатную плату.

Надежность и технология

Использование технологии SuperMesh™ от STMicroelectronics гарантирует стабильные характеристики и высокую надежность компонента. Транзистор является каналом обогащенного типа, что требует напряжения затвор-исток ±20 В для полного открытия.