Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM6K504NU, 30В, 9А, uDFN6, комплект 150 шт (SSM6K504NU,LF
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM078627
Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM6K504NU, 30В, 9А, uDFN6, комплект 150 шт (SSM6K504NU,LFВ наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Toshiba SSM6K504NU — это N-канальный MOSFET с обогащением канала. Компонент выполнен в корпусе uDFN6 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 150 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET с обогащением канала
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Постоянный ток стока: 9 А (импульсный: 18 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 26 мОм
- Корпус: uDFN6 для SMD-монтажа
- Комплект: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 30 В и постоянным током стока 9 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 18 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 26 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 1,25 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент размещен в корпусе uDFN6, оптимизированном для поверхностного монтажа (SMD). Компонент имеет версию ESD.
Комплектация
Товар поставляется как набор из 150 транзисторов Toshiba SSM6K504NU.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | uDFN6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 240 ₴