Транзистор N-MOSFET Toshiba SSM3K36FS,LF(T, SMD, 20В, 0,5А, комплект 70 шт.)

• Тип: N-MOSFET, униполярный, с каналом обогащения
• Корпус: SSM, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
• Постоянный ток стока: 0,5 А (импульсный до 1 А)
• Рассеиваемая мощность: 0,15 Вт
• Комплект: 70 шт.

Основные электрические характеристики

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 20 В, а постоянный ток стока — 0,5 А. В импульсном режиме ток может достигать 1 А.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SSM для поверхностного монтажа (SMD). Это позволяет размещать транзисторы непосредственно на печатной плате без сверления отверстий. Сопротивление в открытом состоянии составляет 1,52 Ом.

Мощность и напряжение затвора

Максимальная рассеиваемая мощность компонента составляет 0,15 Вт. Это определяет тепловой режим работы транзистора при нагрузке. Напряжение на затворе ограничено значением ±10 В, что является типичным параметром для управления MOSFET-транзисторами низкой мощности.