Транзистор N-MOSFET Vishay SQM120N10-3M8_GE3, 100В, 120А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SQM120N10-3M8_GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 120 А при напряжении 100 В. Комплект состоит из 5 штук в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 120 А
• Рассеиваемая мощность: 375 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 3,8 мОм
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 120 А. Рассеиваемая мощность составляет 375 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,8 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а полный заряд затвора — 125 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе D2PAK, который также известен как TO263. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).