
Транзистор N-MOSFET VISHAY SQJ974EP-T1_GE3, 100V, 17A, PowerPAK SO8 (комплект 20 шт.)
3 100 ₴
- В наличии
- Код: TM020747
Комплект из 20 транзисторов VISHAY SQJ974EP-T1_GE3 — это двойные N-MOSFET транзисторы с технологией TrenchFET®, рассчитанные на напряжение 100 В и ток 17 А. Они выполнены в компактном корпусе PowerPAK® SO8.
- Двойной N-MOSFET транзистор (2 в 1) в одном корпусе
- Максимальное напряжение сток-исток 100 В
- Ток стока 17 А
- Сопротивление в открытом состоянии 25,5 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8 для SMD монтажа
- Комплект из 20 транзисторов
Сопротивление и заряд затвора
Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии 25,5 мОм, транзисторы минимизируют потери энергии и нагрев во время работы. Это позволяет использовать их в схемах с высокими токовыми нагрузками без чрезмерного перегрева. Заряд затвора составляет 15 нК.
Корпус PowerPAK® SO8
Транзисторы выполнены в корпусе PowerPAK® SO8, что обеспечивает компактность узла. Монтаж поверхностный (SMD), что упрощает производство и ремонт электронных модулей.
Униполярная структура
Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 16 Вт. Напряжение затвор-исток ±20 В. Комплект из 20 штук удобен для серийного производства или запаса для мастерской.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 16 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 17 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 25.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 3 100 ₴
