Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET Vishay SQD40031EL_GE3, -30В, -94А, DPAK (10 шт.)

1 890 ₴

  • В наличии
  • Код: TM078502
Транзистор P-MOSFET Vishay SQD40031EL_GE3, -30В, -94А, DPAK (10 шт.)
Транзистор P-MOSFET Vishay SQD40031EL_GE3, -30В, -94А, DPAK (10 шт.)В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор P-MOSFET Vishay SQD40031EL_GE3 — это униполярный компонент в корпусе DPAK (TO252) для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 штук.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
  • Напряжение сток-исток: -30 В
  • Ток стока: -94 А
  • Рассеиваемая мощность: 45 Вт
  • Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
  • Сопротивление в открытом состоянии: 3,2 мОм
  • Количество в комплекте: 10 шт.

Основные электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток -30 В и ток стока -94 А. Рассеиваемая мощность составляет 45 Вт. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 3,2 мОм.

Корпус и тип монтажа

Компонент выполнен в корпусе DPAK, который также обозначается как TO252. Это поверхностный монтаж (SMD). Заряд затвора составляет 186 нКл.

Канал и заряд затвора

Транзистор имеет обогащенный канал. Заряд затвора составляет 186 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.

Характеристики
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Максимальная мощность рассеивания45 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)3.2 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусDPAK, TO252
Информация для заказа
  • Цена: 1 890 ₴