Транзистор N-MOSFET VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3, 40V, 5.3A, SO8 (30 шт.)
2 050 ₴
- В наличии
- Код: TM078500
Транзистор N-MOSFET VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3, 40V, 5.3A, SO8 (30 шт.)В наличии
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3 — это двойной полевой транзистор в корпусе SO8 с технологией TrenchFET®. Комплект состоит из 30 штук, предназначенных для SMD-монтажа.
- Напряжение сток-исток 40 В
- Ток стока 5,3 А
- Сопротивление в открытом состоянии 29 мОм
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Технология TrenchFET®
- Комплект: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 40 В и ток стока 5,3 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 29 мОм. Максимальный импульсный ток стока достигает 32 А, а рассеиваемая мощность — 1,3 Вт.
Технология и монтаж
Используется технология TrenchFET®. Корпус SO8 и тип монтажа SMD. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 43 нКл.
Транзисторы VISHAY SQ4940AEY-T1_GE3 в стандартном корпусе SO8. Полярность транзистора — униполярная, а тип канала — обогащенный. Применение компонентов охватывает автомобильную отрасль. Заряд затвора составляет 43 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 29 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴