Транзистор P-MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3, SOT23, -12В, -5А (набор 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT23. Комплект состоит из 40 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -12 В
• Ток стока: -5 А (постоянный), -20 А (импульсный)
• Сопротивление в открытом состоянии: 75 мОм
• Рассеиваемая мощность: 0,67 Вт
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -12 В и постоянный ток стока -5 А. В импульсном режиме ток стока может достигать -20 А. Напряжение затвор-исток составляет ±8 В, а сопротивление в открытом состоянии — 75 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе SOT23, что позволяет использовать его в устройствах с ограниченным пространством на плате. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), что обеспечивает автоматизацию процесса сборки.

Мощность и заряд затвора

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 0,67 Вт. Заряд затвора равен 13 нКл, что влияет на скорость переключения и нагрузку на управляющий узел.