Транзистор P-MOSFET VISHAY SQ2303ES-T1_GE3, 1.9 Вт, SOT23 — набор 40 шт.
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM078498
Транзистор P-MOSFET VISHAY SQ2303ES-T1_GE3, 1.9 Вт, SOT23 — набор 40 шт.В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET бренда VISHAY, модель SQ2303ES-T1_GE3. Это униполярный компонент с технологией TrenchFET®, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: SOT23
- Монтаж: SMD
- Максимальная мощность рассеивания: 1.9 Вт
- Количество в комплекте: 40 шт.
Напряжение и ток
Компонент имеет максимальную мощность рассеивания 1.9 Вт. Согласно данным магазина, транзистор является униполярным (unipolarny) и имеет канал типа wzbogacany. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20V.
Сопротивление и заряд
Согласно характеристикам продавца, импульсный ток стока — -10A. Заряд затвора составляет 6.8nC. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) указано как 370mΩ.
Корпус и монтаж
Товар поставляется набором из 40 штук. Корпус SOT23 и тип монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.9 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 370 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴