Транзистор N-MOSFET Vishay SQ1470AEH-T1_GE3, 30 В, 1,7 А, SOT363 (набор 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SQ1470AEH-T1_GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC70-6 (SOT363). Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а постоянный ток стока — 1,7 А.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Технология: TrenchFET®
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 1,7 А (импульсный 6,7 А)
• Корпус: SC70-6 (SOT363), монтаж SMD
• Набор: 30 шт.

Мощность и сопротивление

Сопротивление в открытом состоянии равно 0,115 Ом, что минимизирует потери энергии при работе. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 3,3 Вт, что определяет тепловой режим компонента. Заряд затвора 5,2 нКл влияет на скорость переключения транзистора.

Напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 30 В. Постоянный ток стока составляет 1,7 А, а импульсный может достигать 6,7 А. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±12 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе SC70-6 (SOT363). Технология монтажа SMD позволяет размещать транзистор непосредственно на поверхности печатной платы. Это экономит место и упрощает автоматизированный монтаж. Товар поставляется набором из 30 транзисторов, что удобно для серийного производства.