Транзистор N-MOSFET Infineon SPW35N60C3, 650В, 21,9А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon SPW35N60C3 — это набор из 5 мощных полупроводниковых приборов для электронных схем. Модель изготовлена по технологии CoolMOS™ в корпусе PG-TO247-3, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла и стабильную работу под нагрузкой.

• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 21,9 А
• Мощность рассеивания: 313 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,1 Ом
• Технология: CoolMOS™
• Количество в комплекте: 5 шт.

Мощность и надежность

Транзистор рассчитан на рабочее напряжение 650 В и ток стока 21,9 А, что позволяет использовать его в силовых преобразователях. Максимальная мощность рассеивания составляет 313 Вт, что гарантирует устойчивость к перегрузкам в сложных условиях эксплуатации.

Технология CoolMOS™

Использование технологии CoolMOS™ обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (0,1 Ом), что снижает потери энергии и нагрев компонента. Это критически важно для повышения КПД устройств и увеличения их ресурса.

Удобный монтаж

Компоненты имеют выводной монтаж (THT) в корпусе PG-TO247-3, что упрощает пайку и интеграцию в печатные платы. Такой формат корпуса является стандартом для силовых транзисторов, обеспечивая надежный контакт с радиатором.

Универсальное применение в силовых схемах

Транзистор имеет канал обогащения и является униполярным, что делает его пригодным для широкого спектра импульсных источников питания и инверторов. Напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы затвора без дополнительных ограничений. Такая конфигурация обеспечивает стабильную работу в схемах с высокочастотным переключением.