Транзистор N-MOSFET Infineon SPW17N80C3, 800 В, 11 А, PG-TO247-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPW17N80C3 — это полупроводниковый прибор с технологией CoolMOS™, предназначенный для использования в электронных схемах.## Удобный монтаж и корпус

• Напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 11 А
• Мощность рассеивания: 227 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,29 Ом
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™
• Количество в комплекте: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В и ток стока 11 А. Такие параметры позволяют использовать компонент в высоковольтных схемах, где требуется надежная изоляция и стабильная работа под нагрузкой.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная мощность рассеивания составляет 227 Вт. Это значение важно для проектирования системы охлаждения, так как позволяет транзистору выдерживать высокие тепловые нагрузки без риска перегрева и выхода из строя.

Технология CoolMOS™

Использование технологии CoolMOS™ обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 0,29 Ом. Благодаря этому снижаются потери энергии на нагрев компонента, что повышает общий КПД устройства и улучшает его энергоэффективность.

Униполярная структура и управление затвором

Транзистор имеет униполярную структуру с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет требования к схеме управления и уровню сигнала на затворе для надежного открывания прибора.