Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, -60В, -80А, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

3 390 ₴

  • В наличии
  • Код: TM078488
Транзистор P-MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, -60В, -80А, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)
Транзистор P-MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, -60В, -80А, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
3 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

P-MOSFET транзистор Infineon SPP80P06PHXKSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Транзистор рассчитан на ток до -80 А и напряжение -60 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе PG-TO220-3.

  • Ток стока до -80 А
  • Напряжение сток-исток -60 В
  • Рассеиваемая мощность 340 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии 23 мОм
  • Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
  • Набор из 10 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор способен рассеивать мощность до 340 Вт, что позволяет использовать его в схемах с высокими энергетическими нагрузками. Максимальный ток стока составляет -80 А.

Электрические характеристики

Напряжение затвор-исток (Gate-Source) может достигать ±20 В, что определяет диапазон управляющих сигналов. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 23 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3. Монтаж осуществляется в отверстия (THT). Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™.

Товар поставляется набором из 10 штук.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания340 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)23 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусPG-TO220-3
ТехнологияSIPMOS™
Информация для заказа
  • Цена: 3 390 ₴