
Транзистор P-MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, -60В, -80А, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)
3 390 ₴
- В наличии
- Код: TM078488
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор Infineon SPP80P06PHXKSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Транзистор рассчитан на ток до -80 А и напряжение -60 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе PG-TO220-3.
- Ток стока до -80 А
- Напряжение сток-исток -60 В
- Рассеиваемая мощность 340 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 23 мОм
- Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
- Набор из 10 транзисторов
Мощность и ток
Транзистор способен рассеивать мощность до 340 Вт, что позволяет использовать его в схемах с высокими энергетическими нагрузками. Максимальный ток стока составляет -80 А.
Электрические характеристики
Напряжение затвор-исток (Gate-Source) может достигать ±20 В, что определяет диапазон управляющих сигналов. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 23 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3. Монтаж осуществляется в отверстия (THT). Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™.
Товар поставляется набором из 10 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 340 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 390 ₴
