Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N60S5, 600 В, 20 А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N60S5 — это униполярный компонент с технологией CoolMOS™, предназначенный для работы при напряжении до 600 В и токе до 20 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе PG-TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 20 А
• Рассеиваемая мощность: 208 Вт
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™
• Количество в комплекте: 5 шт.

Технические параметры

Устройство представляет собой N-канальный MOSFET обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 600 В, а постоянный ток стока — 20 А. Рассеиваемая мощность равна 208 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3. Монтаж выполняется методом THT (through-hole technology), то есть выводы вставляются в отверстия на печатной плате и припаиваются с другой стороны.

Комплектация

В набор поставляется 5 транзисторов. Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 0,19 Ом.