Транзистор N-MOSFET Infineon SPP17N80C3, 800 В, 11 А, 208 Вт, PG-TO220-3 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon SPP17N80C3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный для эффективной коммутации высокого напряжения. Комплект из 20 штук в корпусе PG-TO220-3 обеспечивает надежную работу в силовых электронных схемах с номинальным напряжением 800 В и током 11 А.

• Технология CoolMOS™ для минимизации потерь
• Номинальное напряжение 800 В для высоковольтных схем
• Ток стока 11 А и рассеиваемая мощность 208 Вт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 0,29 Ом
• Корпус PG-TO220-3 с монтажом THT
• Комплект из 20 транзисторов

Технология CoolMOS™ для высокой эффективности

Использование технологии CoolMOS™ позволяет достичь низкого сопротивления в открытом состоянии 0,29 Ом, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента. Это критически важно для импульсных источников питания и инверторов, где даже незначительное снижение потерь повышает общий КПД устройства. Стабильные параметры при напряжении затвор-исток ±20 В гарантируют надежное управление транзистором в сложных условиях эксплуатации.

Мощность и надежность в корпусе PG-TO220-3

Транзистор способен рассеивать мощность до 208 Вт, что делает его пригодным для высоконагруженных применений без необходимости сложных систем охлаждения. Корпус PG-TO220-3 с монтажом THT (сквозной монтаж) обеспечивает механическую прочность и простоту пайки на печатных платах. Такое решение идеально подходит для промышленного оборудования и силовых модулей, где важна долговечность соединений.

Надежное управление и стабильность параметров

Допустимое напряжение затвор-исток ±20 В гарантирует стабильную работу транзистора при различных режимах управления. Канал обогащения обеспечивает надежное закрытие прибора, что важно для безопасности силовых схем. Униполярная структура упрощает расчет драйверов и уменьшает количество внешних компонентов в узле.