Транзистор N-MOSFET Infineon SPB17N80C3, 800 В, 17 А, 227 Вт, PG-TO263-3, 5 шт.
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM078484
Транзистор N-MOSFET Infineon SPB17N80C3, 800 В, 17 А, 227 Вт, PG-TO263-3, 5 шт.В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon SPB17N80C3 — это полупроводниковый прибор в корпусе PG-TO263-3 для монтажа на поверхность (SMD). Комплект состоит из 5 одинаковых транзисторов, выполненных по технологии CoolMOS™.
- Тип: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Максимально допустимый ток стока: 17 А
- Максимальная мощность рассеивания: 227 Вт
- Корпус: PG-TO263-3 (SMD)
- Технология: CoolMOS™
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В, а ток стока — 17 А. Максимальная мощность рассеивания равна 227 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-3, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD).
Технология и комплектация
Транзисторы изготовлены по технологии CoolMOS™ от производителя Infineon Technologies. В набор поставляется 5 шт. компонентов с одинаковыми параметрами.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 227 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 17 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 290 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴