Транзистор N-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR SP8K32HZGTB, 60 В, 4,5 А, SOP8 (набор 10 шт.)

Двойной N-MOSFET транзистор ROHM SEMICONDUCTOR SP8K32HZGTB в корпусе SOP8. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитан на напряжение 60 В и ток 4,5 А.## Комплектация

• Тип: N-MOSFET x2 (двойной транзистор)
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 4,5 А (импульсный до 18 А)
• Корпус: SOP8, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 77 мОм
• В комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 4,5 А. Импульсный ток может достигать 18 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Мощность рассеивания составляет 2 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 77 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOP8, что обеспечивает компактность на плате. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), который является стандартом для современной электроники. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.

Тип канала и полярность

Транзистор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode). Это означает, что устройство закрыто при нулевом напряжении на затворе и открывается при подаче управляющего сигнала. Номинальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые уровни управляющего сигнала.