Транзистор NPN ONSEMI SMUN5233T1G — это биполярный компонент со встроенными резисторами (BRT) в корпусе SOT323. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 50 В и током до 0,1 А.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, BRT (со встроенными резисторами)
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,31 Вт
- Количество в комплекте: 200 шт.
Электрические характеристики
Максимальная мощность рассеивания составляет 0,31 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер равно 50 В, а максимальный ток коллектора — 0,1 А.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323). Тип монтажа — SMD (поверхностный). В комплекте поставляется 200 штук.
Встроенные резисторы
Транзистор имеет тип BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов. Согласно данным производителя, сопротивление резистора база-эмиттер составляет 4,7 кОм, а резистора эмиттер-база — 47 кОм. Поляризация транзистора — биполярная, тип — NPN.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.31 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
- Цена: 1 860 ₴

