Транзистор ONSEMI SMMUN2233LT1G NPN, SOT23, 50 В, 0,1 А (набор 150 шт.)
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM078123
Транзистор ONSEMI SMMUN2233LT1G NPN, SOT23, 50 В, 0,1 А (набор 150 шт.)В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI SMMUN2233LT1G — это биполярный NPN-транзистор в корпусе SOT23, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Данное предложение включает набор из 150 штук.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, BRT
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Рассеиваемая мощность: 0,246 Вт
- Встроенные резисторы: база 4,7 кОм, эмиттер-база 47 кОм
- Количество в комплекте: 150 шт.
Технические характеристики
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,246 Вт. Устройство является биполярным транзистором типа BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов в корпусе.
Встроенные резисторы
В конструкции транзистора предусмотрены резистор базы сопротивлением 4,7 кОм и резистор эмиттер-база сопротивлением 47 кОм. Это означает наличие встроенных резисторов в корпусе.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB) для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.246 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴