Транзистор NPN ONSEMI SMMBTA06LT1G, 80В, 0,5А, SOT23 (набор 150 шт.)
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM036971
Транзистор NPN ONSEMI SMMBTA06LT1G, 80В, 0,5А, SOT23 (набор 150 шт.)В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор NPN-структуры от производителя ONSEMI, модель SMMBTA06LT1G. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23 (TO236AB). Поставляется комплектом из 150 единиц.
- Тип структуры: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Ток коллектора: 0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Граничная частота: 100 МГц
- Коэффициент усиления (hFE): 100
- Количество в наборе: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 80 В и ток коллектора 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) равен 100.
Частотные характеристики и монтаж
Граничная частота перехода составляет 100 МГц. Компонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Внимание: товар является набором, содержащим 150 транзисторов SMMBTA06LT1G. Применение: автомобильная промышленность.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴