Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12V, 400A, 1200V, корпус SEMITRANS3 (SKM400GB12V 22892083)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12V — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS3 с номинальным током коллектора 400 А и напряжением 1200 В. Предназначен для мощных электронных систем, где важны надежность и высокая эффективность преобразования энергии.

• Номинальный ток коллектора 400 А
• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Корпус SEMITRANS3
• Топология полумоста IGBT
• Применение в UPS, инверторах и фотоэлектрике
• Монтаж: болтовой и коннекторы FASTON

Мощность и напряжение

Модуль обеспечивает номинальный ток коллектора 400 А и максимальное обратное напряжение 1200 В. Это позволяет использовать его в промышленных инверторах и системах питания с высокими нагрузками. Импульсный ток может достигать 1200 А, что гарантирует стабильную работу при пиковых нагрузках.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет топологию полумоста IGBT и структуру «транзистор/транзистор». Механическое крепление осуществляется с помощью болтов (винтовое), а электрическое соединение возможно через коннекторы FASTON или болтовые соединители. Корпус SEMITRANS3.

Сфера применения

Модуль SKM400GB12V оптимизирован для использования в источниках бесперебойного питания (UPS), промышленных инверторах и фотоэлектрических системах. Он подходит для задач, где требуется высокая плотность мощности и надежность работы в сложных условиях эксплуатации.

Этот IGBT модуль является выбором для инженеров и техников, которые разрабатывают или обслуживают мощное электронное оборудование, требуя высокой надежности и эффективности.