Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM300GB12E4, 300 А, 1200 В, корпус SEMITRANS3 (SKM300GB12E4 22892077)

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM300GB12E4 — это полупроводниковый прибор в корпусе SEMITRANS3, предназначенный для работы в сложных электронных системах. Он сочетает высокую мощность и надежность, необходимые для промышленного оборудования.

• Номинальный ток коллектора 300 А для мощных нагрузок
• Пиковый ток в импульсе до 900 А
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Корпус SEMITRANS3 для надежного крепления
• Топология half-bridge
• Применение в UPS, инверторах и фотоэлектрике

Высокая мощность и ток

Модуль обеспечивает номинальный ток коллектора 300 А, что позволяет эффективно управлять значительными нагрузками. В импульсном режиме прибор выдерживает пиковый ток до 900 А, что важно для стабильной работы при резких скачках энергии.

Надежная изоляция и напряжение

Максимальное обратное напряжение модуля составляет 1,2 кВ, что гарантирует безопасную эксплуатацию в сетях с высоким потенциалом. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В, что упрощает выбор драйверов управления и защищает входные цепи.

Гибкость монтажа и применения

Модуль имеет топологию half-bridge и структуру «транзистор/транзистор», что делает его универсальным для инверторов и источников бесперебойного питания (UPS). Механическое крепление выполнено с помощью болтов, а электрическое соединение возможно через коннекторы FASTON или болтовые соединители, что облегчает интеграцию в различные системы.

Применение в современной энергетике

Данный модуль идеально подходит для использования в фотоэлектрических установках, промышленных инверторах и системах UPS. Его характеристики обеспечивают эффективное преобразование энергии и стабильность работы оборудования в условиях высоких нагрузок.