Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM200GAL12E4, 200A, 1200V, корпус SEMITRANS3 (SKM200GAL12E4 22892304)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM200GAL12E4 — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS3, предназначенный для мощных электронных систем. Он сочетает в себе диод и транзистор, обеспечивая эффективную работу в схемах типа boost chopper.

• Номинальный ток коллектора 200 А
• Импульсный ток коллектора до 600 А
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Корпус SEMITRANS3 для удобного монтажа
• Предназначен для UPS, инверторов и фотоэлектрики
• Топология boost chopper

Мощность и напряжение

Модуль рассчитан на номинальный ток коллектора 200 А и импульсный ток до 600 А. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ, что позволяет использовать его в высоковольтных применениях. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SEMITRANS3, что обеспечивает удобство интеграции в промышленные устройства. Механическое крепление осуществляется с помощью болтов (прикручивание). Для электрического соединения предусмотрены коннекторы FASTON и болтовые соединители.

Сфера применения

IGBT модуль SKM200GAL12E4 оптимизирован для работы в системах бесперебойного питания (UPS), инверторах и фотоэлектрических установках. Топология boost chopper делает его пригодным для повышающих преобразователей напряжения.

Этот модуль является надежным решением для инженеров, которые разрабатывают или обслуживают мощные энергетические системы, где важны стабильность и высокая эффективность преобразования энергии.