Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V, 100 А, 1200 В, корпус SEMITRANS2 (SKM100GB12V 22892023)

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS2, предназначенный для преобразования и управления электроэнергией. Он объединяет два транзистора в топологии полумоста, обеспечивая надежную работу в промышленных и энергетических системах.

• Номинальный ток коллектора 100 А
• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Импульсный ток коллектора до 300 А
• Корпус SEMITRANS2 для болтового монтажа
• Топология полумоста (транзистор/транзистор)
• Применение: ИБП, инверторы, фотоэлектрика

Мощность и напряжение

Модуль рассчитан на номинальный ток коллектора 100 А и максимальное обратное напряжение 1200 В. Это позволяет использовать его в мощных инверторах и источниках бесперебойного питания, где требуется стабильная коммутация высоких токов.

Импульсная стойкость

Благодаря способности выдерживать импульсный ток коллектора до 300 А, компонент эффективно справляется с пиковыми нагрузками. Такая характеристика критична для систем фотоэлектрики и промышленных приводов, где возможны резкие скачки потребления.

Конструкция и монтаж

Структура «транзистор/транзистор» в топологии полумоста упрощает схемотехнику силовых каскадов. Механическое крепление осуществляется с помощью болтов, а электрическое соединение предусматривает использование коннекторов FASTON или болтового соединения, что обеспечивает надежный контакт.

Управление и применение

Допустимое напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В, что соответствует стандартным драйверам управления IGBT. Модуль оптимизирован для применения в ИБП, инверторах и солнечных электростанциях, где важны компактность и эффективность охлаждения.

IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V является выбором для инженеров и техников, которые проектируют или обслуживают мощные электронные системы, требующие высокой надежности и четких параметров коммутации.