Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 38NAB12T4V1, 1200 В, 300 А (SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490)

Полупроводниковый модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 38NAB12T4V1. Устройство сочетает в себе диодную и транзисторную структуры с максимальным током коллектора 300 А и напряжением 1,2 кВ.

• Максимально допустимый ток коллектора: 300 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Корпус: MiniSKiiP® 3
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Тип монтажа: Press-Fit

Электрические параметры

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и максимально допустимый ток коллектора 300 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Топология устройства включает buck chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост и термистор.

Конструкция и монтаж

Корпус модуля выполнен в стандарте MiniSKiiP® 3. Структура полупроводника реализована как диод/транзистор. Электрический монтаж осуществляется по технологии Press-Fit, а механическое крепление является прикручиваемым.