Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12NAB126V1, 22 А, 1200 В, MiniSKiiP® 1 (SKIIP 12NAB126V1 25230020)

IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12NAB126V1 — это полупроводниковый компонент для мощных электронных систем. Он объединяет транзистор и диод в компактном корпусе MiniSKiiP® 1, обеспечивая надежную работу в сложных топологиях.

• Мощность 5500 Вт для энергоемких задач
• Ток коллектора 22 А (импульсный до 30 А)
• Максимальное напряжение 1200 В
• Корпус MiniSKiiP® 1 для компактной установки
• Монтаж Press-Fit и прикручивание
• Применение в ИБП, инверторах и фотоэлектрике

Высокая мощность и ток

Модуль рассчитан на максимальную мощность 5500 Вт и номинальный ток коллектора 22 А. Это позволяет использовать его в энергоемких устройствах, где требуется стабильная передача энергии без перегрева.

Надежная изоляция и напряжение

Максимальное обратное напряжение составляет 1200 В, что гарантирует безопасность работы в сетях с высоким потенциалом. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В, что упрощает подбор драйверов управления.

Структура и топология

Внутренняя структура модуля включает диод и транзистор, что позволяет реализовывать различные схемы преобразования энергии. Поддерживаются топологии buck chopper, трехфазный диодный и IGBT-мосты, а также встроенный термистор для контроля температуры.

Удобный монтаж

Электрическое соединение выполняется по технологии Press-Fit, что упрощает установку на печатную плату. Механическое крепление осуществляется прикручиванием, обеспечивая надежную фиксацию модуля в корпусе.

Применение в энергетике