Транзистор P-MOSFET Vishay SISH625DN-T1-GE3, TrenchFET, -30В, -35А, 20 шт.
1 910 ₴
- В наличии
- Код: TM077495
Транзистор P-MOSFET Vishay SISH625DN-T1-GE3 — это униполярный компонент с технологией TrenchFET®. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -35 А (постоянный), -80 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 11 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -35 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает -80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 33 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 11 мОм.
Технология и управление
Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®, что обеспечивает низкое сопротивление канала. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 126 нКл. Тип канала — обогащения (enhancement mode), что является стандартным для MOSFET-транзисторов этого класса.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® 1212-8, который оптимизирован для поверхностного монтажа (SMD).
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 33 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 1 910 ₴