Транзистор P-MOSFET VISHAY SISA35DN-T1-GE3, 30 шт., PowerPAK 1212-8
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM077494
Транзистор P-MOSFET VISHAY SISA35DN-T1-GE3, 30 шт., PowerPAK 1212-8В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET VISHAY SISA35DN-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -16 А (постоянный), -50 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 30 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -16 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до -50 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Сопротивление и тепловые характеристики
Сопротивление в открытом состоянии составляет 30 мОм. Прибор имеет рассеиваемую мощность 15 Вт. Заряд затвора равен 42 нКл.
Корпус и монтаж SMD
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴