Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS892ADN-T1-GE3, 100В, 28А, 52Вт (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS892ADN-T1-GE3 — это униполярный компонент с технологией TrenchFET®, предназначенный для эффективной коммутации в электронных схемах. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество элементов для серийного производства или ремонта оборудования.

• Ток стока 28 А для мощных нагрузок
• Рассеивание мощности 52 Вт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 47 мОм
• Напряжение сток-исток 100 В
• Компактный корпус PowerPAK® 1212-8 (SMD)
• Комплект из 20 транзисторов

Высокая мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 28 А и рассеивание мощности до 52 Вт. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокой нагрузкой, где важна стабильность работы при длительных нагрузках.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности составляет всего 47 мОм. Такое значение минимизирует тепловые потери на компоненте, что повышает общий КПД устройства и снижает потребность в мощном охлаждении.

Компактный корпус для SMD монтажа

Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® 1212-8 с типом монтажа SMD. Это позволяет экономить место на печатной плате и обеспечивает автоматизированную установку, что критично для современных компактных электронных устройств.

Надежная изоляция и управление

Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Заряд затвора 6,1 нКл обеспечивает быстрое переключение, что важно для импульсных источников питания и инверторов. Канал транзистора является обогащаемым, что гарантирует надежное закрытие при отсутствии напряжения на затворе.