Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS412DN-T1-GE3, 30 В, 12 А, PowerPAK 1212-8 (30 шт.)
2 470 ₴
- В наличии
- Код: TM077493
Транзистор N-MOSFET VISHAY SIS412DN-T1-GE3 — это униполярный компонент на основе технологии TrenchFET®, предназначенный для работы с напряжением до 30 В и током 12 А.## Комплектация
- Ток стока 12 А (импульсный 30 А)
- Напряжение сток-исток 30 В
- Сопротивление в открытом состоянии 24 мОм
- Корпус PowerPAK® 1212-8 для SMD монтажа
- Технология TrenchFET®
- Комплект: 30 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет канал обогащения и выдерживает напряжение сток-исток 30 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 12 А, а импульсный ток может достигать 30 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 24 мОм, что обеспечивает эффективное прохождение тока.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в компактном корпусе PowerPAK® 1212-8, что позволяет экономить место на плате. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства.
Мощность и управление
Заряд затвора составляет 12 нКл, а максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Эти параметры определяют условия управления транзистором в схемах питания и коммутации. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 10 Вт, что требует соответствующего отвода тепла от корпуса.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 10 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 24 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 2 470 ₴