Транзистор N-MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3, 30 В, 12,2 А, PowerPAK 1212-8 (20 шт.)
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM036820
Транзистор N-MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3, 30 В, 12,2 А, PowerPAK 1212-8 (20 шт.)В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIS406DN-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Рассчитан на напряжение до 30 В и ток стока 12,2 А. Поставляется комплектом из 20 штук в корпусе PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 12,2 А (импульсный до 50 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 14,5 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
- Комплектация: 20 штук
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении сток-исток 30 В и выдерживает импульсный ток стока до 50 А. Номинальный постоянный ток составляет 12,2 А, а сопротивление в открытом состоянии — 14,5 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 2,3 Вт, а заряд затвора — 28 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент размещен в корпусе PowerPAK® 1212-8. Используется технология TrenchFET®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴