Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-GE3, 30В, 100А, PowerPAK SO8 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, разработанный для коммутации токов до 100 А при напряжении 30 В. Устройство изготовлено по технологии TrenchFET® в корпусе PowerPAK® SO8 для поверхностного монтажа (SMD).

• Ток стока 100 А, импульсный ток 400 А
• Напряжение сток-исток 30 В
• Сопротивление открытого канала 1,15 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8, монтаж SMD
• Технология TrenchFET®
• Комплект из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзистор выдерживает постоянный ток стока 100 А и импульсный ток до 400 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими требованиями к коммутационной мощности. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 66,6 Вт.

Низкое сопротивление открытого канала

Сопротивление в состоянии проводности равно 1,15 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Такое низкое сопротивление критически важно для эффективной работы силовых ключей в схемах с высоким током.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PowerPAK® SO8. В комплекте поставляется 10 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.