Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA52ADP-T1-RE3, 40 В, 105 А, PowerPAK SO8 (20 шт.)
2 530 ₴
- В наличии
- Код: TM036818
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA52ADP-T1-RE3, 40 В, 105 А, PowerPAK SO8 (20 шт.)В наличии
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA52ADP-T1-RE3 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе PowerPAK® SO8 для монтажа SMD. Комплект состоит из 20 единиц.
- Ток стока 105 А, в импульсе 200 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Сопротивление в состоянии проводимости 2,3 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8, монтаж SMD
- Технология TrenchFET®
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры и мощность
Транзистор имеет напряжение сток-исток 40 В и постоянный ток стока 105 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 200 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2,3 мОм.
Корпус и монтаж
Прибор изготовлен по технологии TrenchFET®. Монтаж осуществляется методом SMD в корпусе PowerPAK® SO8. Максимальная рассеиваемая мощность равна 30,7 Вт, а заряд затвора — 0,1 мкКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 30.7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 105 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 530 ₴