Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3, 30 В, 46 А, TrenchFET, 20 шт.
1 850 ₴
- В наличии
- Код: TM077492
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3, 30 В, 46 А, TrenchFET, 20 шт.В наличии
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с технологией TrenchFET® в корпусе PowerPAK® SO8. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 46 А
- Максимальная мощность рассеивания: 20 Вт
- Технология TrenchFET®
- Корпус PowerPAK® SO8
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а максимальный ток стока — 46 А. Максимальная мощность рассеивания равна 20 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Импульсный ток и заряд затвора
Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет 130 А, что определяет пиковые нагрузки. Заряд затвора равен 29 нКл, что влияет на скорость переключения. Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 46 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 850 ₴