Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA10DP-T1-GE3, 30 В, 60 А, PowerPAK SO8, комплект 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA10DP-T1-GE3 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией TrenchFET®, предназначенный для коммутации тока до 60 А при напряжении 30 В. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта электронных устройств.

• Ток стока 60 А для мощных силовых цепей
• Импульсный ток до 140 А для пиковых нагрузок
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 5 мОм снижает нагрев
• Технология TrenchFET® обеспечивает эффективную коммутацию
• Компактный корпус PowerPAK® SO8 для SMD монтажа
• Комплект из 20 штук удобен для серийной сборки

Высокая токовая нагрузка

Прибор рассчитан на постоянный ток стока 60 А, что позволяет использовать его в силовых цепях с большим потреблением. Импульсный ток может достигать 140 А, что важно для пусковых режимов или кратковременных пиковых нагрузок. Такая характеристика делает транзистор пригодным для управления мощными нагрузками без риска мгновенного выхода из строя.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности составляет всего 5 мОм. Это минимизирует тепловые потери на компоненте во время работы, что повышает общий КПД устройства и снижает потребность в громоздком охлаждении. Низкое сопротивление особенно критично в схемах с высоким током, где даже незначительный нагрев может повлиять на стабильность работы.

Компактный корпус для поверхностного монтажа

Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO8 с технологией монтажа SMD. Это позволяет размещать компонент на печатных платах с высокой плотностью трассировки. Компактные размеры экономят место на плате, что является преимуществом для компактных устройств и современных электронных модулей.

Удобный комплект для производства

В упаковке содержится 20 транзисторов. Такое количество удобно для прототипирования, мелкосерийного производства или сборки нескольких устройств одновременно. Использование готового набора упрощает процесс закупки компонентов для инженерных задач.