Транзистор N-MOSFET Vishay SIR626LDP-T1-RE3, 60В, 186А, PowerPAK SO8, комплект 20 шт.
3 600 ₴
- В наличии
- Код: TM020491
Транзистор N-MOSFET Vishay SIR626LDP-T1-RE3, 60В, 186А, PowerPAK SO8, комплект 20 шт.В наличии
3 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIR626LDP-T1-RE3 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией TrenchFET®. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе PowerPAK® SO8 для монтажа на печатные платы.
- Ток стока 186 А и импульсный ток 400 А
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,1 мОм
- Рассеиваемая мощность 104 Вт
- Корпус PowerPAK® SO8 для монтажа SMD
- Комплект из 20 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Прибор рассчитан на постоянный ток стока 186 А и импульсный ток до 400 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В.
Эффективность и теплоотдача
Технология TrenchFET® обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 2,1 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 104 Вт.
Удобство монтажа и комплектация
Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® SO8 с технологией монтажа SMD. В комплект входят 20 транзисторов. Полярность unipolarny (униполярный) и канал типа wzbogacany (обогащенный) с напряжением затвор-исток ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 104 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 186 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 600 ₴