Транзистор N-MOSFET Vishay SIR622DP-T1-RE3, 150 В, 51,6 А, PowerPAK SO8 (20 шт.)
2 690 ₴
- В наличии
- Код: TM020490
Транзистор N-MOSFET Vishay SIR622DP-T1-RE3 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией TrenchFET®, предназначенный для коммутации и управления мощностью в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение 150 В и ток стока 51,6 А.
- Ток стока 51,6 А и импульсный ток 100 А
- Рассеиваемая мощность 104 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 20,4 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8 с SMD-монтажом
- Технология TrenchFET®
- Комплект из 20 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзистор способен рассеивать мощность до 104 Вт. Номинальный ток стока составляет 51,6 А, а импульсный ток может достигать 100 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 20,4 мОм.
Технология TrenchFET® и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET® и имеет заряд затвора 41 нКл. Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® SO8 с поверхностным монтажом (SMD). Полярность транзистора — униполярная, канал обогащаемый.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 150 В. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Заряд затвора составляет 41 нКл.
Транзистор Vishay SIR622DP-T1-RE3 в комплекте из 20 шт. подходит для разработки и ремонта электронных устройств.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 104 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 51.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 2 690 ₴