Транзистор N-MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3, 40 В, 40 А, PowerPAK SO8 (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIR422DP-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации в электронных схемах. Модель изготовлена по технологии TrenchFET® в компактном корпусе PowerPAK® SO8, что обеспечивает эффективный отвод тепла и удобный монтаж SMD. Комплект состоит из 20 единиц.

• Ток стока 40 А, импульсный ток 70 А
• Низкое сопротивление канала 6,6 мОм
• Рассеиваемая мощность 22,2 Вт в корпусе PowerPAK® SO8
• Технология TrenchFET®
• Комплект из 20 транзисторов
• Напряжение сток-исток 40 В и напряжение затвор-исток ±20 В

Высокая токовая нагрузка

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 40 А, что позволяет использовать его в силовых цепях с высоким потреблением. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 70 А.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление канала в состоянии проводности составляет всего 6,6 мОм. Это минимизирует потери мощности на нагрев и повышает общий КПД устройства.

Эффективный отвод тепла

Корпус PowerPAK® SO8 и технология TrenchFET® способствуют лучшему рассеиванию тепла. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 22,2 Вт, что позволяет транзистору работать стабильно даже под значительной нагрузкой. Компактные размеры корпуса экономят место на печатной плате.

Удобство монтажа и комплектация

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию процесса сборки. В комплекте поставляется 20 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.