Транзистор N-MOSFET Vishay SIR186LDP-T1-RE3, 60В, 80,3А, PowerPAK SO8 (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIR186LDP-T1-RE3 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе PowerPAK® SO8 для SMD-монтажа. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта плат. Высокая токовая нагрузка до 80,3 А и низкое сопротивление в открытом состоянии позволяют эффективно управлять мощными нагрузками.

• Ток стока 80,3 А для мощных нагрузок
• Импульсный ток до 150 А
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 6,3 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8 для SMD-монтажа
• Комплект из 20 транзисторов
• Технология TrenchFET®

Высокая токовая нагрузка

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 80,3 А, что делает его пригодным для питания мощных потребителей. Импульсный ток может достигать 150 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки без повреждения компонента. Это важно для систем, где потребление энергии резко возрастает при запуске двигателей или зарядке аккумуляторов.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 57 Вт, что требует надлежащего теплового режима на плате. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 6,3 мОм минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Такая эффективность критична для компактных устройств с ограниченным пространством для охлаждения.

Удобный монтаж и технология

Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®, что обеспечивает оптимальные коммутационные характеристики. Корпус PowerPAK® SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизированное производство. Напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы затвора без дополнительных уровней напряжения.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов, что удобно для замены партии компонентов или создания небольшой серии устройств. Такое количество минимизирует риск нехватки деталей при сборке и обеспечивает запас для тестирования.