Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP15N50E-GE3, 500 В, 9,2 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 530 ₴
- В наличии
- Код: TM036808
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP15N50E-GE3, 500 В, 9,2 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов Vishay SIHP15N50E-GE3 типа N-MOSFET в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Основные параметры: напряжение сток-исток 500 В, ток стока 9,2 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 9,2 А (импульс 28 А)
- Рассеиваемая мощность: 156 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — ±30 В. Ток стока в импульсе составляет 28 А.
Мощность и сопротивление
Рассеиваемая мощность транзистора составляет 156 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,28 Ом. Заряд затвора — 66 нКл.
Монтаж и корпус
Компоненты выполнены в корпусе TO220AB для монтажа на поверхность с выводами (THT). Монтаж выполняется методом THT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 156 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 530 ₴