Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP11N80AE-GE3, 800 В, 5 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 390 ₴
- В наличии
- Код: TM077474
Набор из 10 транзисторов Vishay SIHP11N80AE-GE3 типа N-MOSFET в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату (THT). Максимальное напряжение сток-исток составляет 800 В.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 5 А (импульсный до 22 А)
- Рассеиваемая мощность: 78 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Набор: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 5 А. В импульсном режиме ток может достигать 22 А, а рассеиваемая мощность составляет 78 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,45 Ом, что влияет на тепловые потери при работе.
Особенности управления
Устройство является униполярным с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±30 В. Заряд затвора составляет 42 нКл, что определяет скорость переключения и нагрузку на управляющий узел.
Комплектация
В упаковке находится 10 одинаковых транзисторов Vishay SIHP11N80AE-GE3. Комплект содержит 10 идентичных транзисторов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 78 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
- Цена: 2 390 ₴