Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3, 500В, 12А, TO247AC (комплект 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247AC с выводами для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Постоянный ток стока: 12 А (импульсный: 42 А)
• Рассеиваемая мощность: 179 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 184 мОм
• Корпус: TO247AC, монтаж THT
• Комплектация: 5 шт.

Напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 12 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 42 А. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, что определяет допустимые режимы управления каналом.

Мощность и сопротивление в открытом состоянии

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 179 Вт, что требует эффективного отвода тепла при работе с высокими нагрузками. Сопротивление в открытом состоянии равно 184 мОм, что влияет на тепловые потери при протекании тока. Общий заряд затвора — 92 нКл.

Корпус и комплектация

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247AC с выводами для установки на поверхность печатной платы (THT). Такое исполнение обеспечивает механическую прочность крепления и удобство пайки. В комплекте поставляется 5 транзисторов, что удобно для серийного монтажа или замены нескольких элементов в схеме.