Транзистор N-MOSFET Vishay SIHD14N60E-GE3, 600В, 8А, DPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHD14N60E-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы с напряжением до 600 В и током 8 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе DPAK (TO252) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 8 А (импульсный до 32 А)
• Рассеиваемая мощность: 147 Вт
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Комплектация: набор из 10 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 8 А. В импульсном режиме ток может достигать 32 А, а рассеиваемая мощность составляет 147 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 309 мОм, что обеспечивает эффективное прохождение тока.

Управление затвором

Устройство имеет напряжение затвор-исток ±30 В и заряд затвора 64 нКл, что определяет требования к схеме управления и скорость переключения. Низкий заряд затвора способствует эффективному управлению транзистором в силовых цепях.## Монтаж и корпусТранзистор выполнен в корпусе DPAK (TO252) для технологии поверхностного монтажа SMD. Такое исполнение позволяет компактно размещать компонент на печатных платах с высокой степенью интеграции.## КомплектацияТовар поставляется набором из 10 транзисторов. Это удобно для серийного производства или ремонта оборудования, где нужно несколько одинаковых компонентов.