Транзистор N-MOSFET Vishay SIHB22N60E-GE3, 600 В, 21 А, D2PAK (5 шт.)

Набор из 5 полевых транзисторов Vishay SIHB22N60E-GE3 типа N-MOSFET. Компоненты рассчитаны на напряжение 600 В и ток 21 А, предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK (TO263).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 21 А (импульсный до 56 А)
• Рассеиваемая мощность: 227 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Комплектация: 5 шт.

Тип и канал

Компонент является униполярным полевым транзистором типа N-MOSFET с каналом обогащения. Такая структура определяет принцип работы устройства и его поведение в электрической цепи.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В. Постоянный ток стока равен 21 А, а в импульсном режиме он может достигать 56 А. Напряжение на затворе ограничено значением ±30 В.