Транзистор N-MOSFET Vishay SIHB100N60E-GE3, 600В, 19А, D2PAK (5 шт.)

Набор из 5 мощных полевых транзисторов N-MOSFET от производителя Vishay. Модель SIHB100N60E-GE3 предназначена для работы с напряжением до 600 В и током 19 А в корпусе D2PAK (TO263).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 19 А (импульсный до 73 А)
• Мощность рассеивания: 208 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Комплектация: 5 штук

Тип и канал управления

Компонент является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что транзистор закрыт при нулевом напряжении на затворе и открывается при подаче положительного напряжения. Такая полярность и тип канала определяют схемы управления, в которых используется этот компонент.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, что позволяет работать в сетях повышенного напряжения. Постоянный ток стока равен 19 А, а в импульсном режиме он может достигать 73 А. Напряжение на затворе ограничено значением ±30 В.

Мощность и сопротивление

Рассеиваемая мощность транзистора составляет 208 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,1 Ом, что снижает потери энергии при открытом канале. Заряд затвора составляет 50 нКл, что влияет на скорость переключения.