Транзистор N/P-MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, TrenchFET, 12В, 6.5Вт (комплект 30 шт.)
2 360 ₴
- В наличии
- Код: TM036806
Транзистор N/P-MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, TrenchFET, 12В, 6.5Вт (комплект 30 шт.)В наличии
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 30 транзисторов Vishay SIA517DJ-T1-GE3 типа N/P-MOSFET. Приборы изготовлены по технологии TrenchFET® в корпусе PowerPAK® SC70 для монтажа SMD.
- Тип: N/P-MOSFET с обогащением канала
- Напряжение сток-исток: 12/-12 В
- Ток стока: 4,5/-4,5 А
- Рассеиваемая мощность: 6,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 170/65 мОм
- Корпус: PowerPAK® SC70 (монтаж SMD)
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 12/-12 В и ток стока 4,5/-4,5 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 170/65 мОм, а рассеиваемая мощность — 6,5 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Технология TrenchFET®
Транзисторы изготовлены по технологии TrenchFET®. Корпус PowerPAK® SC70 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке поставляется 30 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 6.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SC70 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴