Транзистор N-MOSFET Vishay SIA440DJ-T1-GE3, 40В, 12А, PowerPAK SC70 (30 шт.)
1 900 ₴
- В наличии
- Код: TM077466
Транзистор N-MOSFET Vishay SIA440DJ-T1-GE3, 40В, 12А, PowerPAK SC70 (30 шт.)В наличии
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIA440DJ-T1-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе PowerPAK® SC70 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 40 В
- Ток стока: 12 А (импульсный до 50 А)
- Сопротивление в состоянии проводимости: 26 мОм
- Корпус: PowerPAK® SC70 (SMD)
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 40 В и постоянный ток стока 12 А. Импульсный ток стока составляет 50 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 26 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±12 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® SC70, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD). Рассеиваемая мощность составляет 12 Вт.
Технология TrenchFET®
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET®. Заряд затвора составляет 21,5 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 12 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SC70 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴