Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET VISHAY SI9933CDY-T1-GE3, комплект 30 шт., корпус SO8

2 630 ₴

  • В наличии
  • Код: TM020471
Транзистор P-MOSFET VISHAY SI9933CDY-T1-GE3, комплект 30 шт., корпус SO8
Транзистор P-MOSFET VISHAY SI9933CDY-T1-GE3, комплект 30 шт., корпус SO8В наличии
2 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 30 транзисторов VISHAY SI9933CDY-T1-GE3 — это двойные P-MOSFET в корпусе SO8, предназначенные для поверхностного монтажа (SMD). Эти компоненты предназначены для коммутации тока в электронных устройствах.

  • Комплект из 30 транзисторов
  • Тип: двойной P-MOSFET
  • Корпус SO8 для SMD-монтажа
  • Ток стока -4 А
  • Напряжение сток-исток -20 В
  • Технология TrenchFET®

Технология TrenchFET®

Транзисторы изготовлены по технологии TrenchFET®.

Электрические параметры

Каждый транзистор в комплекте имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и ток стока -4 А. В импульсном режиме ток может достигать -20 А. Рассеиваемая мощность составляет 3,1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 94 мОм.

Удобство монтажа и комплектация

Компоненты поставляются в корпусе SO8, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Комплект содержит 30 шт. Заряд затвора составляет 26 нКл, а максимальное напряжение затвор-исток — ±12 В.

Характеристики
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Максимальная мощность рассеивания3.1 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток12 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)94 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусSO8
ТехнологияTrenchFET®
Информация для заказа
  • Цена: 2 630 ₴