
Транзистор P-MOSFET VISHAY SI9933CDY-T1-GE3, комплект 30 шт., корпус SO8
2 630 ₴
- В наличии
- Код: TM020471
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 30 транзисторов VISHAY SI9933CDY-T1-GE3 — это двойные P-MOSFET в корпусе SO8, предназначенные для поверхностного монтажа (SMD). Эти компоненты предназначены для коммутации тока в электронных устройствах.
- Комплект из 30 транзисторов
- Тип: двойной P-MOSFET
- Корпус SO8 для SMD-монтажа
- Ток стока -4 А
- Напряжение сток-исток -20 В
- Технология TrenchFET®
Технология TrenchFET®
Транзисторы изготовлены по технологии TrenchFET®.
Электрические параметры
Каждый транзистор в комплекте имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и ток стока -4 А. В импульсном режиме ток может достигать -20 А. Рассеиваемая мощность составляет 3,1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 94 мОм.
Удобство монтажа и комплектация
Компоненты поставляются в корпусе SO8, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Комплект содержит 30 шт. Заряд затвора составляет 26 нКл, а максимальное напряжение затвор-исток — ±12 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 630 ₴
