Транзистор N-MOSFET VISHAY SI9926CDY-T1-GE3, 20V, 6.7A, SO8 (набор 20 шт.)
3 230 ₴
- В наличии
- Код: TM020470
Двойной N-канальный MOSFET-транзистор VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 в корпусе SO8. Максимальное напряжение сток-исток составляет 20 В. Пакет содержит 20 единиц компонентов для серийного монтажа.
- Двойной N-MOSFET транзистор
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 6,7 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 22 мОм
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Низкое сопротивление и высокий ток
Сопротивление в открытом состоянии 22 мОм снижает потери мощности и нагрев компонента. Номинальный ток стока 6,7 А подходит для стабильных нагрузок. Импульсный ток до 30 А позволяет выдерживать кратковременные пиковые перегрузки в цепях питания.
Корпус SO8 и монтаж SMD
Корпус SO8 с монтажом SMD обеспечивает компактность и плотную компоновку плат. Такое исполнение упрощает автоматизированный монтаж и экономит место на печатной плате. Компонент является униполярным, что упрощает схемотехнику управления.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, что определяет допустимый тепловой режим. При проектировании схемы необходимо учитывать этот параметр для обеспечения надежной работы. Ограничение по мощности влияет на выбор радиатора или способа отвода тепла.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
- Цена: 3 230 ₴